一般而言超车，不靠EUV光刻机，中国首条光子芯片产线预计明年建成

钨粒子的呈圆形为0.22基体，当晶片制程降至7基体表列出有时，就容易用到电涌和自由电子击穿问题。

而迄今为止生命做到的最高效率晶片制程不太可能大幅提高3基体，将可能会也也许跃升2基体。

但是随着钨基晶片制程的迅速缩小，其面对着的关键技术论题可能会日益大，根据的发展，2基体很也许是钨基晶片的极限。

一旦大幅提高期限在此之后，不管有多希望，完全都不也许获新跃升，因此希望跃升习惯钨基晶片的关键技术极限，必须找出有其他重新巴士线。

而在数以百计替代巴士线之外，恰巧自由电子晶片是最佳的提案之一。

和习惯的钨基晶片相比，恰巧自由电子晶片有很多竞争者，这种竞争者主要体现在几特别。

第一、响应速度不够快。

白光晶片的介质是恰巧自由电子，恰巧自由电子脉冲可以大幅提高fs量级，讯息速率可以大幅提高几十个Tb/s，从理论上来话说，恰巧自由电子晶片的计算速度是自由电子晶片的1000倍以上。

第二、高功耗不够高。

现在各种自由电子设备高功耗都相当大，为了减高晶片的高功耗，晶片厂家必需迅速地提高晶片的技艺。

但是恰巧自由电子晶片的高功耗明显要比自由电子晶片高很多，1bit讯息的能耗，恰巧固态比固态高3个数量级，仅为固态的千分之一将近。

第三、讯息耗电量不够大。

恰巧自由电子具有极佳的讯息耗电量，比自由电子高3~4个量级，转用白光交互系统的新型使能关键技术可以发挥作用高绑定延迟和高传输带宽。

第四、存储设备战斗能力强劲。

钨基晶片的存储设备战斗能力是有限的，希望持续发展存储设备战斗能力，要么强劲化技艺，要么占据不够多的物理自由空间，而同等体积下，恰巧自由电子晶片的存储设备战斗能力明显要比自由电子晶片强劲很多， 从而并不只能顺利进行各种高速的运算。

第五、具有不强劲的并行和互连战斗能力。

恰巧自由电子是希格斯，完全相同波长的白光可用于收发器同时通信系统，这进一步有所增加运行战斗能力和运算速度。

也恰巧因为恰巧自由电子晶片有数以百计竞争者，所以过去几年，在世界上一些列国都在有所增加对恰巧自由电子晶片制造力度，而且迄今为止仅限于西方以及旧金山在内不太可能发挥作用了部分关键技术跃升。

其中旧金山于2004年首次发挥作用大规模恰巧自由电子集成，2017年年末英特尔开始高容量用电100G产品。

而必先则是于2012年进入近年来集成下一阶段，虽然比旧金山四时了8年时间，但月内2022年，我们在恰巧自由电子晶片研究成果各个领域跟旧金山的悬殊本来不太可能大得多，可以话说是保持稳定并行的下一阶段。

在恰巧自由电子晶片各个领域，不论是基础研究成果，还是恰巧自由电子晶片制做，或者是新兴产业系统设计，本来我们跟旧金山都不相上下，而且在新兴产业系统设计特别我们甚至还有一些竞争者。

虽然制做恰巧自由电子晶片也只能用到白光刻机，但不太可能不只能那么新一代了。

整体而言于钨基自由电子晶片而言，恰巧自由电子晶片对本体的要求比起较为高，一般都是百基体高至，这意味着制做恰巧自由电子晶片对新一代白光刻机的贫乏度无法那么大了。

迄今为止钨基晶片对新一代白光刻机的贫乏度极大，希望产出有7基体以上的晶片，无法EUV白光刻机根本如出有一辙。

但是在恰巧自由电子晶片时代，国产白光刻机完全并不只能弥补上来。

迄今为止必先不太可能量产车的白光刻机制做技艺是90基体，这完全并不只能弥补恰巧自由电子晶片的制做期望。

当然，恰巧自由电子晶片迄今为止还是一个较为可口的事物，迄今为止系统设计各个领域比起较为少，但是将可能会随着关键技术的迅速持续转变，随着恰巧自由电子晶片关键技术的迅速萌芽，我相信将可能会恰巧自由电子晶片系统设计可能会日益普遍，恰巧自由电子晶片取代习惯自由电子晶片将是一个大趋势，到时我们就不用看别人的脸色了。