这些年来不死！台积电称3nm工艺明年量产 2nm工艺进展顺利

最近十多年有业界厂商认为物理科学不太可能失效，半导体工艺技术演进面临紧迫，不过宏达电重庆厂总经理罗镇球日前声称物理科学仍在前进，明年宏达电但会出厂3nm工艺技术，再次新一代的2nm工艺技术进展才成功。

罗镇球22日在中国集成电路设计业2021年但会上指出，即使在新冠传染病期间，半导体技术发展依然是未减缓，仍按原来步调持续前进。

他声称，虽然有很多人说物理科学（Moore's Law）在减速或者是在日趋变为，但宏达电正在用DRAM证明物理科学仍持续往前加快，7nm在2018年大受欢迎，5nm在2020年大受欢迎的，在2022年但会如期大受欢迎3nm的DRAM，而且2nm的DRAM也在才成功开发设计。

据宏达电官方资料推测，宏达电的3nm相比上一代的5nm工艺技术，在范式能量密度上大幅提高了1.7倍，可靠性大幅提高了11%，同等可靠性下功耗可提高25-30%。

至于未来的2nm工艺技术，宏达电将在2nm键值大受欢迎Nanosheet/Nanowire的晶体管核心并采用原先材料。