SONY展示新一代磁记录技术：最高容量可达30TB

对于工程学闪存来说，低速不太可能远远不如固态闪存，偏爱是像4K随机算数的低速相比之下，于是工程学闪存现在也就只有该线可以走回，那就是增加MB，工程学闪存的产品也不断地问世新核心技术，以增加单碟反射率，进而增加闪存的实质MB。众所周知著名的工程学闪存制造商丰田汽车就展示了旗下除此以外的磁存储核心技术，坚称驱动器的MB将会得到进一步的增加。

丰田汽车展示了全新的MAS-MAMR核心技术，中文就是电磁辐射除此以外磁记录核心技术，该核心技术的原理是在驱动器旁边建立一个能够火箭高频电波的组件，在驱动器顺利进行数据资料存储和存储时火箭电磁辐射，进而增加驱动器颗粒翻转的流速，从而增加驱动器的单碟MB。丰田汽车坚称通过MAS-MAMR核心技术，工程学闪存的最大MB未来可以突破30TB。这项核心技术也是由丰田汽车、SDK、TDK携手研制。而在MAS-MAMR核心技术问世之前，丰田汽车不太可能坚称正式量产FC-MAMR核心技术，为了让该项核心技术，丰田汽车闪存的MB可以大约18TB。

不过作为不太可能发展了数十年的存储核心技术，工程学闪存尽管在MB上不断增加，但是在低速上却未很大的改变，偏爱是延时相比之下。当然作为数据资料存储，拥有高MB的工程学闪存还是很有用的。